光化學反應儀CY-GHX-A光催化降解裝置的詳細資料：

光化學反應儀CY-GHX-A光催化降解裝置

主要特征：

1.采用智能微電腦控制，可觀察電流和電壓實時變化。             

2. 具有分步定時功能，操作簡便。

3.進口光源控制器，內置光源轉換器，功率連續可調，穩定性高    。

4. 高溫度保護系統，自動斷電功能。

5.反應暗箱內壁使用防輻射材料，且帶有觀察窗。

6.采用內照式光源，受光充分，燈源采用耐高壓防震材質，經久耐用。

7.配有8（6/12可選）位磁力攪拌裝置，使樣品充分混勻受光。

8.雙層耐高低溫石英冷阱，可通入冷卻水循環維持反應溫度。

9.機箱外部結構設有循環水進出口，內部設有2個插座，供燈源和攪拌反應器用。

光化學反應儀或是氙燈光源應如何選購呢?

1氙燈光源平行光源一般是燈泡通過光學器件處理，而在需要高能量的場合則采用橢球反映射鏡。

2光化學反應儀/氙燈光源在光化學中，可由平行光源與反映樣品部分構成外照式輻照系(光以平行光束形式從反映系統由外而內的進行輻照)。

3光源至于那些燈源可構成匯聚點光源，中心發散光源及平行光源則需具體情況具體討論。

4光源匯聚點光源通常用于單色儀分光，光纖導入或使用聚焦點的能量集中效應(如熱效應)。

5光化學反應儀光源散光源通常是對燈源未做任何處理(光以球面波形式向整個空間發散)，在光化學中，通常冷阱、反應器配合，光均勻的向反映物質輻射，構成所謂的內照式輻照系(整個體系中，光由內而外輻照)。

光化學反應儀CY-GHX-A光催化降解裝置

光催化凈化技術主要是利用光催化劑二氧化欽(T'02)吸收外界輻射的光能，使其直接轉變為化學能。當能量大于Ti02禁帶寬度的光照射半導體時，光激發電子躍遷到導帶，形成導帶電子(e-)，同時在價帶留下空穴階(h+)。由于半導體能帶的不連續性，電子和空穴的壽命較長，它們能夠在電場作用下或通過擴散的方式運動，與吸附在半導體催化劑粒子表面上的物質發生氧化還原反應，或者被表面晶格缺陷俘獲。空穴和電子在催化劑粒子內部或表面也能直接復合，空穴能夠同吸附在催化劑粒子表面的月口一或HZO發生作用生成經基自由基HO " , HO.是一種活性很高的粒子，能夠無選擇的氧化多種有機物并使之礦化。

由于光催化還屬于一種新興的技術，有很多因素還需要額外考慮，諸如納米光催化劑的制備技術、納米光催化劑的高活性和高壽命技術、納米光催化劑的固載化技術和納米光催化劑反應的設計技術，這些因素的實現勢必會使得凈化器價格攀升，從而影響推廣。然而該技術*大的不足在于，從利用太陽光效率的角度看，半導體的光吸收波長范圍狹窄，主要在紫外區，利用太陽光的比例低;光生載流子的復合率很高，導致量子效率較低。